基于机器视觉的碳化硅衬底切割自动对刀系统设计与厚度均匀性控制

一、引言

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，以其卓越的物理化学性能，在新能源汽车、轨道交通、5G 通信等关键领域展现出不可替代的作用。然而，SiC 材料硬度高、脆性大的特性，给其衬底切割加工带来了极大挑战。传统切割方法存在切割精度低、效率慢、厚度均匀性差等问题，严重制约了 SiC 器件的性能与生产规模。在此背景下，开发基于机器视觉的碳化硅衬底切割自动对刀系统，并实现厚度均匀性控制，对推动 SiC 产业发展具有重要意义。

二、系统总体设计

自动对刀系统主要由机器视觉模块、运动控制模块、切割执行模块和控制系统组成。机器视觉模块采用高分辨率工业相机与定制光学镜头，实时采集切割区域图像。运动控制模块通过精密电机与丝杠导轨，精准控制切割刀具的位置与进给速度。切割执行模块根据不同切割工艺（如金刚线切割、激光切割等）选择相应刀具。控制系统整合各模块信息，实现自动化运行。

三、机器视觉对刀原理与实现

3.1 图像采集与预处理

工业相机以固定帧率采集切割区域图像，图像经灰度化、滤波、增强等预处理操作，提升图像质量，凸显衬底与刀具边缘特征，为后续特征提取做准备。例如，采用高斯滤波去除图像噪声，直方图均衡化增强图像对比度。

3.2 特征提取与匹配

利用边缘检测算法（如 Canny 算法）提取衬底边缘轮廓与刀具特征点。通过模板匹配技术，将实时采集图像中的刀具特征与预先存储的标准刀具模板进行匹配，确定刀具实际位置与姿态。当检测到刀具位置偏差时，控制系统计算补偿量并发送指令给运动控制模块，实现刀具自动调整。

四、厚度均匀性控制策略

4.1 进给量动态调节

碳化硅衬底切割过程中，依据切割深度、刀具磨损状态等因素动态调整进给量。切割起始阶段，材料表面完整，刀具与材料接触状态稳定，可采用较大进给量提高加工效率。随着切割深入，刀具磨损加剧，材料内部应力分布改变，此时逐步减小进给量，能有效控制切割力在合理范围，维持材料均匀去除，保证厚度均匀性。构建以切割深度为自变量，进给量为因变量的梯度调节函数，通过传感器实时监测切割深度、刀具振动、切割力等参数，将数据反馈至控制系统，由控制系统依据预设的梯度调节模型，动态调整进给量。

4.2 切割参数优化

通过实验与仿真相结合的方式，建立切割参数（如切割速度、进给量、切割功率等）与厚度均匀性的映射关系模型。利用该模型，针对不同规格的碳化硅衬底，优化切割参数组合，使切割过程中材料去除均匀，降低厚度偏差。例如，对于较薄的衬底，适当减小切割速度与进给量；对于硬度更高的碳化硅材料，调整切割功率与冷却条件，确保切割过程稳定，提升厚度均匀性。

高通量晶圆测厚系统运用第三代扫频OCT技术，精准攻克晶圆/晶片厚度TTV重复精度不稳定难题，重复精度达3nm以下。针对行业厚度测量结果不一致的痛点，经不同时段测量验证，保障再现精度可靠。

我们的数据和WAFERSIGHT2的数据测量对比,进一步验证了真值的再现性：

（以上为新启航实测样品数据结果）

该系统基于第三代可调谐扫频激光技术，相较传统双探头对射扫描，可一次完成所有平面度及厚度参数测量。其创新扫描原理极大提升材料兼容性，从轻掺到重掺P型硅，到碳化硅、蓝宝石、玻璃等多种晶圆材料均适用：

对重掺型硅，可精准探测强吸收晶圆前后表面；

点扫描第三代扫频激光技术，有效抵御光谱串扰，胜任粗糙晶圆表面测量；

通过偏振效应补偿，增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比；

（以上为新启航实测样品数据结果）

支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量，覆盖μm级到数百μm级厚度范围，还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜。

（以上为新启航实测样品数据结果）

此外，可调谐扫频激光具备出色的“温漂”处理能力，在极端环境中抗干扰性强，显著提升重复测量稳定性。

（以上为新启航实测样品数据结果）

系统采用第三代高速扫频可调谐激光器，摆脱传统SLD光源对“主动式减震pt”的依赖，凭借卓越抗干扰性实现小型化设计，还能与EFEM系统集成，满足产线自动化测量需求。运动控制灵活，适配2-12英寸方片和圆片测量。