纳米压印制备硅基 OLED 微型显示器的方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

引言

硅基 OLED 微型显示器凭借高分辨率、高对比度等优势，在虚拟现实、增强现实等领域应用广泛。纳米压印技术为其制备提供了新方向，而精确测量光刻图形是保证制备质量的关键，白光干涉仪在其中发挥着重要作用。

纳米压印制备硅基 OLED 微型显示器的方法

工艺原理

纳米压印技术基于模板复制原理，通过将带有微纳图案的模板与涂覆在基板上的软质材料紧密接触，在一定压力和温度下，使软质材料填充模板图案的凹陷区域，随后脱模，将模板图案转移至软质材料上，从而实现高精度图形的复制。相较于传统光刻技术，纳米压印技术成本低、效率高，能突破光学光刻的分辨率限制，适用于硅基 OLED 微型显示器的微纳结构制备。

制备流程

首先，准备硅基板，对其进行清洗、干燥等预处理，确保基板表面洁净平整。接着，在基板上旋涂一层光刻胶或其他软质材料作为压印介质，控制旋涂速度和时间，保证介质厚度均匀。然后，将带有目标图案的模板与涂覆好介质的基板对准贴合，施加压力和温度，使介质充分填充模板图案。待介质固化后，小心脱模，将模板图案完整转移至基板上。之后，以压印形成的图案为掩模，通过刻蚀等工艺对基板进行处理，形成所需的微纳结构，如阳极像素阵列、阴极结构等。最后，完成有机发光层、电子传输层等功能层的沉积与制备，组装成硅基 OLED 微型显示器。

白光干涉仪在光刻图形测量中的应用

测量原理

白光干涉仪利用白光的干涉特性，将光源发出的白光经分光镜分为两束，一束照射待测光刻图形表面反射回来，另一束作为参考光，两束光相遇产生干涉条纹。根据干涉条纹的形状、间距等信息，结合光程差与表面高度的关系，可精确计算出光刻图形的高度、轮廓等参数。

测量优势

白光干涉仪具备高精度、非接触测量特性，测量精度可达纳米级，能够满足硅基 OLED 微型显示器微纳结构的测量需求，且不会损伤脆弱的光刻图形。其测量速度快，可实现实时在线检测，配合专业软件能对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形质量，便于及时调整制备工艺。

实际应用

在纳米压印制备硅基 OLED 微型显示器过程中，白光干涉仪可用于测量压印后光刻胶图案的高度、线宽，评估图案转移的精度和完整性；还能检测刻蚀后微纳结构的深度、表面粗糙度等参数，确保阳极像素阵列、阴极结构等符合设计要求，为提升硅基 OLED 微型显示器的性能提供保障。

TopMap Micro View白光干涉3D轮廓仪

一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪

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实际案例

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2，毫米级视野，实现5nm-有机油膜厚度扫描

3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现光刻图形凹槽深度和开口宽度测量。