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测量探头温漂对碳化硅衬底厚度测量的误差机理及补偿技术

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新启航半导体

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  • 登  录:2025-05-30
发表于 2025-05-30 10:02:10
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引言


在碳化硅衬底厚度测量过程中,测量探头温漂是影响测量准确性的重要因素。深入剖析其误差机理并研究有效的补偿技术,对提升碳化硅衬底厚度测量精度、保障半导体器件制造质量具有关键意义。


误差机理


材料热膨胀导致探头结构变化


测量探头内部包含多种材料部件,如金属、陶瓷等。不同材料的热膨胀系数各异,当环境温度发生变化时,各部件会因热膨胀程度不同产生相对位移 。例如,探头的金属外壳与陶瓷传感器基座热膨胀系数存在差异,温度升高时,金属外壳膨胀幅度大于陶瓷基座,会挤压传感器,改变传感器的初始位置与测量姿态,进而导致测量碳化硅衬底厚度时出现误差 。这种结构变化不仅影响探头的线性度,还会使测量基准发生偏移,造成测量值偏离实际厚度。


传感器性能随温度波动


探头内的传感器(如电容式、电感式传感器)性能会受温度影响 。以电容式传感器为例,其电容值与极板间距、介电常数等参数相关,温度变化会使极板材料热膨胀,改变极板间距,同时也会影响极板间介质的介电常数 。当温度升高,极板间距增大,电容值减小,测量电路输出信号随之改变,导致测量结果出现偏差 。此外,传感器内部的电子元件,如放大器、滤波器等,其性能参数(如增益、带宽)也会随温度波动,进一步加剧测量误差 。


补偿技术


硬件补偿


硬件补偿可从优化探头结构和电路设计两方面入手 。在探头结构上,选用热膨胀系数相近的材料制作探头部件,或采用特殊的热补偿结构,如双金属片补偿结构,利用两种不同热膨胀系数的金属片组合,当温度变化时,双金属片产生变形,抵消因温度引起的探头部件相对位移 。在电路设计中,增加温度补偿电路,如使用温度传感器实时监测探头温度,将温度信号转化为电信号,通过电路计算对传感器输出信号进行修正 。例如,采用负反馈电路,根据温度变化反向调整电路参数,补偿因温度引起的传感器性能变化 。


软件补偿


软件补偿基于大量实验数据建立数学模型 。通过在不同温度条件下对标准碳化硅衬底进行多次测量,记录温度与测量误差数据,利用回归分析、神经网络等算法拟合出温度与测量误差的关系模型 。在实际测量时,系统实时获取探头温度,代入模型计算出对应的误差补偿值,对测量结果进行修正 。例如,使用 BP 神经网络模型,将温度作为输入层变量,测量误差作为输出层变量,通过训练使网络学习温度与误差之间的复杂映射关系,从而实现高精度的软件补偿 。


高通量晶圆测厚系统运用第三代扫频OCT技术,精准攻克晶圆/晶片厚度TTV重复精度不稳定难题,重复精度达3nm以下。针对行业厚度测量结果不一致的痛点,经不同时段测量验证,保障再现精度可靠。



测量探头温漂对碳化硅衬底厚度测量的误差机理及补偿技术

我们的数据和WAFERSIGHT2的数据测量对比,进一步验证了真值的再现性:



测量探头温漂对碳化硅衬底厚度测量的误差机理及补偿技术

(以上为新启航实测样品数据结果)

该系统基于第三代可调谐扫频激光技术,相较传统双探头对射扫描,可一次完成所有平面度及厚度参数测量。其创新扫描原理极大提升材料兼容性,从轻掺到重掺P型硅,到碳化硅、蓝宝石、玻璃等多种晶圆材料均适用:

对重掺型硅,可精准探测强吸收晶圆前后表面;

点扫描第三代扫频激光技术,有效抵御光谱串扰,胜任粗糙晶圆表面测量;

通过偏振效应补偿,增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比;


测量探头温漂对碳化硅衬底厚度测量的误差机理及补偿技术

(以上为新启航实测样品数据结果)

支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量,覆盖μm级到数百μm级厚度范围,还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜。



测量探头温漂对碳化硅衬底厚度测量的误差机理及补偿技术

(以上为新启航实测样品数据结果)

此外,可调谐扫频激光具备出色的“温漂”处理能力,在极端环境中抗干扰性强,显著提升重复测量稳定性。



测量探头温漂对碳化硅衬底厚度测量的误差机理及补偿技术

(以上为新启航实测样品数据结果)

系统采用第三代高速扫频可调谐激光器,摆脱传统SLD光源对“主动式减震pt”的依赖,凭借卓越抗干扰性实现小型化设计,还能与EFEM系统集成,满足产线自动化测量需求。运动控制灵活,适配2-12英寸方片和圆片测量。



测量探头温漂对碳化硅衬底厚度测量的误差机理及补偿技术


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