内存术语解释

内存术语解释
        BANK：BANK是指内存插槽的计算单位(也有人称为记忆库)，

它是计算机系统与内存间资料汇流的基本运作单位。
　　
　　　　内存的速度：内存的速度是以每笔CPU与内存间数据处理耗

费的时间来计算，为总线循环(bus cycle)以奈秒(ns)为单位。
　　
　　　　内存模块 (Memory Module)：提到内存模块是指一个印刷电

路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips，而这内存芯片通常是DRAM

芯片，但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内

存模块是安装在PC 的主机板上的专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上

DRAM芯片(chips)的数量和个别芯片(chips)的容量，是决定内存模块

的设计的主要因素。
　　
　　　　SIMM (Single In-line Memory Module)：电路板上面焊有

数目不等的记忆IC，可分为以下2种型态：
　　
　　　　 　72PIN：72脚位的单面内存模块是用来支持32位的数据处

理量。
　　
　　　　 　30PIN：30脚位的单面内存模块是用来支持8位的数据处

理量。
　　
　　　　DIMM (Dual In-line Memory Module)：（168PIN） 用来支

持64位或是更宽的总线，而且只用3.3伏特的电压，通常用在64位的

桌上型计算机或是服务器。
　　
　　　　RIMM：RIMM模块是下一世代的内存模块主要规格之一，它是

Intel公司于1999年推出芯片组所支持的内存模块，其频宽高达

1.6Gbyte/sec。
　　
　　　　SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module)

（144PIN）： 这是一种改良型的DIMM模块，比一般的DIMM模块来得

小，应用于笔记型计算机、列表机、传真机或是各种终端机等。
　　
　　　　PLL： 为锁相回路,用来统一整合时脉讯号,使内存能正确的

存取资料。
　　
　　　　Rambus 内存模块 （184PIN）： 采用Direct RDRAM的内存

模块，称之为RIMM模块，该模块有184pin脚，资料的输出方式为串行

，与现行使用的DIMM模块168pin，并列输出的架构有很大的差异。
　　
　　　　6层板和4层板(6 layers V.S. 4 layers)： 指的是电路印

刷板PCB Printed Circuit Board用6层或4层的玻璃纤维做成，通常

SDRAM会使用6层板，虽然会增加PCB的成本但却可免除噪声的干扰，

而4层板虽可降低PCB的成本但效能较差。
　　
　　　　Register：是缓存器的意思,其功能是能够在高速下达到同

步的目的。
　　
　　　　SPD：为Serial Presence Detect 的缩写，它是烧录在

EEPROM内的码，以往开机时BIOS必须侦测memory，但有了SPD就不必

再去作侦测的动作，而由BIOS直接读取 SPD取得内存的相关资料。
　　
　　　　Parity和ECC的比较：同位检查码(parity check codes)被

广泛地使用在侦错码(error detection codes)上，他们增加一个检

查位给每个资料的字元(或字节)，并且能够侦测到一个字符中所有奇

(偶)同位的错误，但Parity有一个缺点，当计算机查到某个Byte有错

误时，并不能确定错误在哪一个位，也就无法修正错误。
　　
　　　　缓冲器和无缓冲器（Buffer V.S. Unbuffer）：有缓冲器的

DIMM 是用来改善时序(timing)问题的一种方法无缓冲器的DIMM虽然

可被设计用于系统上，但它只能支援四条DIMM。若将无缓冲器的DIMM

用于速度为100Mhz的主机板上的话，将会有存取不良的影响。而有缓

冲器的DIMM则可使用四条以上的内存，但是若使用的缓冲器速度不够

快的话会影响其执行效果。换言之，有缓冲器的DIMM虽有速度变慢之

虞，但它可以支持更多DIMM的使用。
　　
　　　　自我充电 (Self-Refresh)：DRAM内部具有独立且内建的充

电电路于一定时间内做自我充电， 通常用在笔记型计算机或可携式

计算机等的省电需求高的计算机。
　　
　　　　预充电时间 (CAS Latency)：通常简称CL。例如CL=3，表示

计算机系统自主存储器读取第一笔资料时，所需的准备时间为3个外

部时脉 (System clock)。CL2与CL3的差异仅在第一次读取资料所需

准备时间，相差一个时脉，对整个系统的效能并无显著影响。
　　
　　　　时钟信号 (Clock)：时钟信号是提供给同步内存做讯号同步

之用，同步记忆体的存取动作必需与时钟信号同步。
　　
　　　　电子工程设计发展联合会议 (JEDEC)：JEDEC大部分是由从

事设计、发明的制造业尤以有关计算机记忆模块所组成的一个团体财

团，一般工业所生产的记忆体产品大多以JEDEC所制定的标准为评量

。
　　
　　　　只读存储器ROM (Read Only Memory)：ROM是一种只能读取

而不能写入资料之记燱体，因为这个特所以最常见的就是主机板上的

BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)因为BISO是

计算机开机必备的基本硬件设定用来与外围做为低阶通信接口，所以

BISO之程式烧录于ROM中以避免随意被清除资料。
　　
　　　　EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)：为

一种将资料写入后即使在电源关闭的情况下，也可以保留一段相当长

的时间，且写入资料时不需要另外提高电压，只要写入某一些句柄，

就可以把资料写入内存中了。
　　
　　　　EPROM (Erasable Programmable ROM)：为一种可以透过紫

外线的照射将其内部的资料清除掉之后，再用烧录器之类的设备将资

料烧录进 EPROM内，优点为可以重复的烧录资料。
　　
　　　　程序规画的只读存储器 (PROM)：是一种可存程序的内存，

因为只能写一次资料，所以它一旦被写入资料若有错误，是无法改变

的且无法再存其它资料，所以只要写错资料这颗内存就无法回收重新

使用。
　　
　　　　MASK ROM：是制造商为了要大量生产，事先制作一颗有原始

数据的ROM或EPROM当作样本，然后再大量生产与样本一样的 ROM，这

一种做为大量生产的ROM样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的

资料永远无法做修改。
　　
　　　　随机存取内存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被读

取和写入的内存，我们在写资料到RAM记忆体时也同时可从RAM读取资

料，这和ROM内存有所不同。但是RAM必须由稳定流畅的电力来保持它

本身的稳定性，所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头的资料将随之

消失。
　　
　　　　动态随机存取内存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)

：DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的缩写，通常是计算机内

的主存储器，它是而用电容来做储存动作，但因电容本身有漏电问题

，所以内存内的资料须持续地存取不然
　　资料会不见。
　　
　　　　FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良的DRAM，大多数

为72IPN或30PIN的模块，FPM 将记忆体内部隔成许多页数Pages，从

512 bite 到数 Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新读取时，就

可读取各page内的资
　　料。
　　
　　　　EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：EDO的存取速度比传

统DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般为72PIN、168PIN的模块。
　　
　　　　SDRAM：Synchronous DRAM 是一种新的DRAM架构的技术；它

运用晶片内的clock使输入及输出能同步进行。所谓clock同步是指记

忆体时脉与CPU的时脉能同步存取资料。SDRAM节省执行指令及数据传

输的时间，故可提升计算机效率。
　　
　　　　DDR：DDR 是一种更高速的同步内存，DDR SDRAM为168PIN的

DIMM模块，它比SDRAM的传输速率更快， DDR的设计是应用在服务器

、工作站及数据传输等较高速需求之系统。
　　
　　　　DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)：DDRII 是

DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之

后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。
　　
　　　　DRDRAM (Direct Rambus DRAM)：是下一代的主流内存标准

之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一

个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传

送的效率。
　　
　　　　RDRAM (Rambus DRAM)：是由Rambus公司独立设计完成，它

的速度约一般DRAM的10倍以上，虽有这样强的效能，但使用后内存控

制器需要相当大的改变，所以目前这一类的内存大多使用在游戏机器

或者专业的图形加速适配卡上。
　　
　　　　VRAM (Video RAM)：与DRAM最大的不同在于其有两组输出及

输入口，所以可以同时一边读入，一边输出资料。
　　
　　　　WRAM (Window RAM)：属于VRAM的改良版，其不同之处在于

其控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取

模式。
　　
　　　　MDRAM (Multi-Bank RAM)：MIDRAM 的内部分成数个各别不

同的小储存库 (BANK)，也就是数个属立的小单位矩阵所构成。每个

储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，其应用于高速显示卡或

加速卡中。
　　
　　　　静态随机处理内存 SRAM (Static Random Access Memory)

：SRAM 是Static Random Access Memory 的缩写，通常比一般的动

态随机处理内存处理速度更快更稳定。所谓静态的意义是指内存资料

可以常驻而不须随时存取。因为此种特性，静态随机处理内存通常被

用来做高速缓存。
　　
　　　　Async SRAM：为异步SRAM这是一种较为旧型的SRAM，通常被

用于电脑上的 Level 2 Cache上，它在运作时独立于计算机的系统时

脉外。
　　
　　　　Sync SRAM：为同步SRAM，它的工作时脉与系统是同步的。
　　
　　　　SGRAM (Synchronous Graphics RAM)：是由SDRAM再改良而

成以区块Block为单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整

体读写的次数增加绘图控制器。
　　
　　　　高速缓存 (Cache Ram)：为一种高速度的内存是被设计用来

处理运作CPU。快取记忆体是利用 SRAM 的颗粒来做内存。因连接方

式不同可分为一是外接方式(External)另一种为内接方式(Internal)

。外接方式是将内存放在主机板上也称为Level 1 Cache而内接方式

是将内存放在CPU中称为Level 2 Cache。
　　
　　　　PCMCIA (Personal Computer Memory Card International

Association)：是一种标准的卡片型扩充接口，多半用于笔记型计算

机上或是其它外围产品，其种类可以分为：
　　
　　　　　　Type 1：3.3mm的厚度，常作成SRAM、Flash RAM 的记

忆卡以及最近打印机所使用的DRAM记忆卡。
　　　　　　Type 2：5.5mm的厚度，通常设计为笔记计算机所使用

的调制解调器接口(Modem)。
　　　　　　Type 3：10.5mm的厚度，被运用为连接硬盘的ATA接口

。
　　　　　　Type 4：小型的PCMCIA卡，大部用于数字相机。
　　
　　　　FLASH：Flash内存比较像是一种储存装置，因为当电源关掉

后储存在Flash内存中的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将

原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速

度太慢。
　　
　　　　重新标示过的内存模块（Remark Memory Module）：在内存

市场许多商家都会贩售重新标示过的内存模块，所谓重新标示过的内

存模块就是将芯片Chip上的标示变更过，使其所显示出错误的讯息以

提供商家赚取更多的利润。一般说来，业者会标示成较快的速度将(

-7改成-6)或将没有厂牌的改为有厂牌的。要避免购买到这方面的产

品，最佳的方法就是向好声誉的供货商来购买顶级芯片制造商产品。
　　
　　　　内存的充电 (Refresh)：主存储器是DRAM组合而成，其电容

需不断充电以保持资料的正确。一般有2K与4K Refresh的分类，而2K

比4K有较快速的Refresh但2K比4K耗电。