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发表于 2025-06-12 10:42:21 楼主 | |
引言 在碳化硅衬底加工过程中,切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系,并进行工艺优化,对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。 量化关系分析 切割机理对厚度均匀性的影响 碳化硅硬度高、脆性大,切割过程中,切割进给量直接影响切割力大小与分布 。当进给量较小时,切割工具与碳化硅衬底接触区域的切削力相对较小且稳定,材料去除过程较为均匀,有利于保证衬底厚度均匀性 。随着进给量增大,切割力急剧增加,切割工具对衬底的冲击作用增强,易导致局部材料过度去除,使衬底表面出现凹坑、裂纹等缺陷,破坏厚度均匀性 。此外,较大的进给量还会引发切割工具振动加剧,进一步恶化厚度均匀性 。 理论模型构建 基于切削力学理论,结合碳化硅材料特性,构建切割进给量与厚度均匀性的理论模型 。考虑切割力与进给量的非线性关系,以及材料去除率对厚度均匀性的影响,引入相关参数建立方程 。例如,将切割力表示为进给量、切割速度等参数的函数,通过分析切割力对材料去除过程的作用,建立厚度均匀性评价指标(如厚度标准差)与进给量之间的数学模型 。利用有限元分析软件对模型进行模拟验证,优化模型参数,提高模型准确性 。 实验设计与数据分析 实验方案 设计多组对比实验,选取相同规格的碳化硅衬底,在其他工艺参数(如切割速度、切割压力等)保持一致的条件下,设置不同的切割进给量(如 0.1mm/min、0.3mm/min、0.5mm/min 等)进行切割加工 。采用高精度厚度测量仪器(如光学干涉仪)对切割后的衬底进行多点厚度测量,获取厚度数据 。同时,利用显微镜观察衬底表面微观形貌,分析不同进给量下表面缺陷情况 。 数据分析 对实验测量数据进行处理,计算每组实验中衬底厚度的平均值、标准差等统计量,定量评估厚度均匀性 。绘制厚度均匀性评价指标与切割进给量的关系曲线,直观展示二者变化趋势 。运用回归分析方法,拟合出厚度均匀性与切割进给量的经验公式,明确量化关系 。通过方差分析判断切割进给量对厚度均匀性影响的显著性,为工艺优化提供数据支持 。 工艺优化策略 优化进给量参数 根据量化关系分析结果,确定最佳切割进给量范围 。在保证加工效率的前提下,优先选择使厚度均匀性最优的进给量 。对于不同规格或质量要求的碳化硅衬底,通过实验或模拟进一步优化进给量参数,实现个性化加工 。 多参数协同优化 考虑切割过程中各工艺参数的相互影响,开展切割进给量与切割速度、切割压力等参数的协同优化研究 。通过正交实验或响应面法等优化设计方法,分析各参数交互作用对厚度均匀性的影响,建立多参数优化模型,获得综合性能最优的工艺参数组合 。 高通量晶圆测厚系统运用第三代扫频OCT技术,精准攻克晶圆/晶片厚度TTV重复精度不稳定难题,重复精度达3nm以下。针对行业厚度测量结果不一致的痛点,经不同时段测量验证,保障再现精度可靠。 我们的数据和WAFERSIGHT2的数据测量对比,进一步验证了真值的再现性: (以上为新启航实测样品数据结果) 该系统基于第三代可调谐扫频激光技术,相较传统双探头对射扫描,可一次完成所有平面度及厚度参数测量。其创新扫描原理极大提升材料兼容性,从轻掺到重掺P型硅,到碳化硅、蓝宝石、玻璃等多种晶圆材料均适用: 对重掺型硅,可精准探测强吸收晶圆前后表面; 点扫描第三代扫频激光技术,有效抵御光谱串扰,胜任粗糙晶圆表面测量; 通过偏振效应补偿,增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比; (以上为新启航实测样品数据结果) 支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量,覆盖μm级到数百μm级厚度范围,还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜。 (以上为新启航实测样品数据结果) 此外,可调谐扫频激光具备出色的“温漂”处理能力,在极端环境中抗干扰性强,显著提升重复测量稳定性。 (以上为新启航实测样品数据结果) 系统采用第三代高速扫频可调谐激光器,摆脱传统SLD光源对“主动式减震pt”的依赖,凭借卓越抗干扰性实现小型化设计,还能与EFEM系统集成,满足产线自动化测量需求。运动控制灵活,适配2-12英寸方片和圆片测量。 |
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