【记忆空间istore】 移动固态硬盘评测报告，Samsung T7 Shield PSSD

Samsung T7 Shield PSSD外观图片

Samsung T7 Shield PSSD尺寸

Samsung T7 Shield PSSD掉电保护功能

T7采用ASM2462桥接芯片+SSD主控+NAND架构。电源采用DCDC方案，集成电容矩阵，掉电保护功能。元器件单面布局。当PSSD正在进行读写业务时，产生一个异常掉电（比如插拔数据线），主控检测到前端USB link链路断开。就会将RAM中缓存的数据写入NAND中，防止数据丢失。

Samsung T7 PSSD寿命TBW计算

CDI查看磁盘，磁盘名称“Samsung Protable SSD T7 Shield”,容量2TB。

TBW固态硬盘寿命：

SSD 使用 NAND 做为存储介质，SSD 的寿命本质上受限于 NAND 的寿命。NAND 寿命的量化指标叫 P/E Cycles，也就是写入/擦除（program / erase）次数，因为 NAND 是以页（page）为单位写入数据，以块（block）为单位擦除，对于已经写入数据的 block，必须将原有数据进行搬移，SSD 是通过“垃圾回收”（Garbage Collection，GC）的机制来回收被无效数据占用的空闲空间，GC 额外搬移的数据需要用到 SSD 的 OP（Over-provisioning）预留空间。对整个 block 的数据擦除后才能允许新数据写入。一写一擦就会消耗 NAND 一个 P/E。

假设T7用到的3D TLC NAND，耐磨损次数PE Cycle为3000，WAF写放大为2。

则TBW为2000GB*3000/2，结果是3000TBW。

SamSung T7 支持Trim功能

TRIM指令使操作系统通知固态硬盘哪些数据是无效的（已删除），可以被内部擦除。在没有TRIM的情况下，固态硬盘无法事先知道哪些数据已经被删除，只能等系统要求在相同地方写入数据的时候才知道哪些数据是可以被擦除的，因此，这种情况下固态硬盘无法在适当的时机做出最好的优化，影响数据写入性能。对于固态硬盘及支持TRIM指令的机械硬盘（叠瓦式硬盘）启用TRIM指令，可以提高写入性能、减少耗损、延长寿命。

SamSung T7 Shield 2TB性能测试

顺序读写性能：

速度高达450MB（5Gbps接口下），相当于SATA6Gbps的SSD固态硬盘。顺序读写是指固态硬盘在读写数据的过程中按照数据先后顺序进行工作，具备读写连续性的特点，具体表现为读写时间较短且具备连续性、读写数据大且集中。顺序读写性能对于大文件拷贝至关重要。

随机读写性能：

速度达150MB左右。随机读写性能是固态硬盘的关键指标，其单位为IOPS（Input/Output Operations Per Second），即每秒进行读写（I/O）操作的次数。随机读写性能越强，处理零碎文件（如启动程序、病毒扫描等）任务就越快。

Samsung T7 Sheild各状态下功耗大小

工作状态下，功耗为2.70W

待机状态下，功耗为0.46W

休眠状态下，功耗为0.19W

工作状态：

固态硬盘前端接收电脑下发的数据和命令，经过FTL处理，后端与NAND进行数据交互。对NAND的编程、擦除、及读写，都需要功耗。主控本身的调度，桥接芯片的转换，也需要功耗。三者构成整盘功耗主体。一般写功耗要高，功耗实测2.7W。

待机状态：

待机状态下，SSD与电脑前端没有数据传输，但仍有指令交互。另外盘在待机idle时，也在进行GC（垃圾回收）的工作，因此待机状态也需要消耗电流。功耗实测为460mW左右。

休眠状态：

休眠状态下，为了节约功耗，SSD会关闭部分硬件。只保留部分功能模块，响应前端PC的指令（如唤醒指令）。为进一步节省功耗，SSD还会将NAND电源关闭，只保留主控部分模块工作，实现极低的功耗。SATA或者NVME协议的固态SSD，低功耗可达到3.5mW。Samsung T7低功耗实测197mW，这比SSD高多了。这是因为T7的方案中，使用了ASM2462桥接芯片，低功耗时，桥接芯片并未停止工作，因此消耗电流较多。